Ein Laserdiodenarray ist ein Halbleiterbauelement, das aus mehreren Laserdioden besteht, die in einer bestimmten Konfiguration angeordnet sind, beispielsweise einem linearen oder zweidimensionalen Array. Diese Dioden emittieren kohärentes Licht, wenn ein elektrischer Strom durch sie fließt. Laserdiodenarrays sind für ihre hohe Ausgangsleistung bekannt, da die kombinierte Emission des Arrays deutlich höhere Intensitäten erreichen kann als eine einzelne Laserdiode. Sie werden häufig in Anwendungen eingesetzt, die eine hohe Leistungsdichte erfordern, beispielsweise in der Materialbearbeitung, bei medizinischen Behandlungen und bei Hochleistungsbeleuchtungen. Aufgrund ihrer kompakten Größe, Effizienz und Fähigkeit, mit hohen Geschwindigkeiten moduliert zu werden, eignen sie sich auch für verschiedene optische Kommunikations- und Druckanwendungen.
Klicken Sie hier für weitere Informationen zu Laserdiodenarrays – Funktionsprinzip, Definition und Typen usw.
Bei Lumispot Tech sind wir auf die Bereitstellung hochmoderner, konduktiv gekühlter Laserdiodenarrays spezialisiert, die auf die vielfältigen Anforderungen unserer Kunden zugeschnitten sind. Unsere horizontalen QCW-Laserdiodenarrays (Quasi-Continuous Wave) sind ein Beweis für unser Engagement für Innovation und Qualität in der Lasertechnologie.
Unsere Laserdiodenstapel können mit bis zu 20 zusammengebauten Stäben individuell angepasst werden und so einem breiten Spektrum an Anwendungen und Leistungsanforderungen gerecht werden. Diese Flexibilität stellt sicher, dass unsere Kunden Produkte erhalten, die genau ihren spezifischen Bedürfnissen entsprechen.
Außergewöhnliche Leistung und Effizienz:
Die Spitzenleistung unserer Produkte kann beeindruckende 6000 W erreichen. Insbesondere unser 808-nm-Horizontalstapel ist ein Bestseller, der sich durch eine minimale Wellenlängenabweichung innerhalb von 2 nm auszeichnet. Diese Hochleistungsdiodenbarren, die sowohl im CW- (Continuous Wave) als auch im QCW-Modus betrieben werden können, weisen einen außergewöhnlichen elektrooptischen Umwandlungswirkungsgrad von 50 % bis 55 % auf und setzen damit einen wettbewerbsfähigen Standard auf dem Markt.
Robustes Design und Langlebigkeit:
Jede Leiste wird mithilfe der fortschrittlichen AuSn-Hartlöttechnologie hergestellt, was eine kompakte Struktur mit hoher Leistungsdichte und Zuverlässigkeit gewährleistet. Das robuste Design ermöglicht ein effizientes Wärmemanagement und eine hohe Spitzenleistung und verlängert so die Lebensdauer der Stacks.
Stabilität in rauen Umgebungen:
Unsere Laserdiodenstacks sind für den zuverlässigen Betrieb unter schwierigen Bedingungen ausgelegt. Ein einzelner Stapel, bestehend aus 9 Laserbarren, kann eine Ausgangsleistung von 2,7 kW liefern, etwa 300 W pro Barren. Durch die robuste Verpackung hält das Produkt Temperaturen von -60 bis 85 Grad Celsius stand und sorgt so für Stabilität und Langlebigkeit.
Vielseitige Anwendungen:
Diese Laserdiodenarrays eignen sich ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Beleuchtung, wissenschaftliche Forschung, Erkennung und als Pumpquelle für Festkörperlaser. Aufgrund ihrer hohen Leistungsabgabe und Robustheit eignen sie sich besonders für industrielle Entfernungsmesser.
Support und Informationen:
Weitere Einzelheiten zu unseren horizontalen QCW-Diodenlaser-Arrays, einschließlich umfassender Produktspezifikationen und Anwendungen, finden Sie in den unten aufgeführten Produktdatenblättern. Darüber hinaus steht Ihnen unser Team für Rückfragen zur Verfügung und bietet auf Ihre Industrie- und Forschungsbedürfnisse zugeschnittene Unterstützung.
Teile-Nr. | Wellenlänge | Ausgangsleistung | Spektrale Breite | Gepulste Breite | Anzahl der Balken | Herunterladen |
LM-X-QY-F-GZ-1 | 808 nm | 1800W | 3nm | 200μs | ≤9 | Datenblatt |
LM-X-QY-F-GZ-2 | 808 nm | 4000W | 3nm | 200μs | ≤20 | Datenblatt |
LM-X-QY-F-GZ-3 | 808 nm | 1000W | 3nm | 200μs | ≤5 | Datenblatt |
LM-X-QY-F-GZ-4 | 808 nm | 1200W | 3nm | 200μs | ≤6 | Datenblatt |
LM-8XX-Q3600-BG06H3-1 | 808 nm | 3600W | 3nm | 200μs | ≤18 | Datenblatt |
LM-8XX-Q3600-BG06H3-2 | 808 nm | 3600W | 3nm | 200μs | ≤18 | Datenblatt |